IntelliSute 工艺级

精准的三维工艺物理模拟工具。
◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程;

◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等;

◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选;

◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰富的实践验证;

◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺.

◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺

◆ 基于GPU大规模并行计算

◆ 采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能

◆ 支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息;

◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。

FabSim™ - 快速工艺流程模拟
FabSimTM 使用户能够快速建立真实的物理模型，而不是使用传统方法创建的几何模型。

通过在IntelliSuite中系统地构建原型，您甚至可以在进入工厂之前快速识别流程缺陷，从而最终节省时间和金钱。工艺步骤与版图几何结构相结合，可用于构建最终的虚拟模型。

基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。
◆ 动画形式显示工艺过程;

◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型;

◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等;

◆ 采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构;

◆ 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息;

◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程;

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。
◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;

◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻;

◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;

◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;

◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率;

◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;

◆ 三维图形和横截面可视;

◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度;

◆ 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟;

◆ 集成 DRIE 和多次掩膜复合工艺功能;

◆ 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型;

◆ 完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口;

◆ 可定义和切割任意高指数晶面;

◆ 精确描述腐蚀表面形貌;

◆ 兼容 IntelliMask 版图文件和 Bmp 掩膜文件;

◆ 输出 FEM 网格数据;

◆ 基于 GPU 大规模并行计算的 IntelliEtchG;

◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蚀速率提取工具;

◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蚀速率可视化及校准工具;

◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蚀速率提取工具;

结合材料、版图创建器件的工艺流程，并可输出到FabSim模块生成三维虚拟模型，输出到TEM模块进行分析。
◆ 完整的MEMS工艺流程，包括沉积、光刻、刻蚀、键合、电镀等工艺。用户可添加自有工艺;

◆ 支持标准MEMS工艺，如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosch Surface Micromachining等。

◆ 用户可创建自有工艺;

◆ 图形化的硅和石英等材料的各向异性湿法刻蚀速率展示与调节工具

◆ 支持SOI材料，支持电阻率与方块电阻参数同步;

◆ 支持输出Excel格式工艺流程单

◆ 结合FabSim模拟工艺流程生成的器件的三维模型;

◆ 结合TEM分析对器件的影响，实现更精确的多物理场模拟;

IntelliFAB™   - 流程编辑器
IntelliSuite自下而上的设计是以流程设计为基础。熟悉的工艺步骤，如光刻、薄膜沉积和选择性蚀刻，构成了最终器件几何形状的基础。

使用IntelliFABTM可以使用户在进入CleanRoom之前进行流程调试和版图优化。它使您能够快速创建精确的虚拟模型，并且可以防止流程错误带来的损失。

当前全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具，提供工艺参数和器件特性间的重要联系。
◆ 包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的 MEMS 常用薄膜材料属性，使模拟结果更加精确;

◆ 允许用户添加和自定义材料;

◆ 通过 IntelliFab 模块直接将材料属性输出到 TEM 分析模块;

◆ 优化工艺;

模拟 RIE/ICP(Bosch Process) 工艺，清晰反映加工工艺如何影响产品成型。
◆ 可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期;

◆ RIE 和 DRIE 的 lag 效应;

◆ 模拟最终实体形貌、侧面角度;

◆ 考虑掩膜影响;

◆ 为特定截面创建工艺参数可调整的结构;

◆ 支持 Footing 效应模拟;

◆ 支持工艺参数计算;

◆ DRIE 刻蚀速率及深宽比校准工具;