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1、掩模特征比模具上的实际特征大四倍。

2、准确制作32/22 nm的掩模现在需要对掩模制作步骤进行专门的光学邻近校正。

3、与将掩模误差集中到整个OPC模型中不同，将掩模校正与晶圆校正分离可以简化校正过程并提高整体结果的质量。

4、Calibre掩模工艺校正解决方案应用了Mentor基于模型的OPC技术，并针对电子束掩模书写器进行了优化。

5、基于密度和可变蚀刻偏置建模，改善了高级节点的掩模CD线性度和均匀性。

6、为了完善Mentor的完整掩模合成解决方案，Calibre平台包括用于掩模规则检查和签署的工具，以及用于领先的电子束掩模写入设备的断裂和数据转换。

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