用于处理高度非线性的磁流体(MHD)问题,采用专门的FLET(Fourier Limited Expansion Technique)技术,基于2D网格处理3D问题,在确保计算精度的同时,大幅提高计算效率。
功能特点:
1、分析磁场对熔体流动、温度以及组分的影响
2、分析磁场作用下固液界面的变形
3、计算磁场作用下晶体生长过程中的温度梯度以及氧化物分布
4、可求解高强磁场(可达到工业实际应用中的500mT)问题
5、300mm Si单晶生长模拟
- 外加磁场:0.5T TMF
- 熔体和坩埚界面处明显的Hartmann边界层
- 厚度:50-80μm