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1.通过调整热区和生长参数来控制和优化结晶前沿几何形状和 V/G 分布。

2.在保持高晶体质量的同时提高结晶速率。

3.控制晶体生长中的应力和缺陷。通过精确调整隔热板进行缺陷工程。

4.通过晶体/坩埚的旋转速率、各种强度和方向的磁场来控制熔体对流。稳定熔体中的对流，同时保持合理的湍流混合。

5.分析熔体和气体中的杂质传输。预测 Si CZ 生长中含氧和含碳物质的浓度。调整生长条件和修改热区，旨在提供所需的杂质浓度。

6.充分考虑液体封装生长中的封装剂、湍流气体流动和对流热传递。为新晶体生长设置的设计和优化提供建模支持。

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