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结构函数
Simcenter T3STER/ T3STER SI独创的结构函数可以图形化地展示热流传导路径上每结构的热阻和热容信息，非破坏性地检测封装结构的改变，因而被广泛地应用于：用于产品封装的新材料或新工艺的对比，产品可靠性研究，产品质量评估以及接触热阻等各个领域。
硬件采集完毕后，通过数据分析软件T3Ster Master ,用户得到可以直接分析器件内部结构的结构函数。
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如何利用结构函数识别器件的结构
积分结构函数
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结构函数上越靠近y轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构，而越远离y轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。
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积分结构函数是热容—热阻函数，曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构，陡峭的区域代表器件内部热阻小、热容大的结构。
微分结构函数
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微分结构函数中，波峰与波谷的拐点就是两种结构的分界处，便于识别器件内部的各层结构。
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在结构函数的末端，其值趋向于一条垂直的渐近线，此时代表热流传导到了空气层，由于空气的体积无穷大因此热容也就无穷大。从原点到这条渐近线之间在x轴上的截距就是结到环境的总热阻。
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利用结构函数
识别器件封装内部的“缺陷”
当器件某个结构或接触发生变化时，我们可以通过对比试验清晰地看到：
固晶层（Die attach)的缺陷造成了热阻的增大
固晶层（Die attach)的缺陷造成了波峰的移动
因此，利用结构函数可以帮助用户识别器件内部的缺陷，并能定量得到该缺陷引起的热阻变化。
苏公网安备 32059002002276号
