产品定位
Calibre nmMPC 是西门子 EDA（原 Mentor Graphics）Calibre 掩模工艺校正（MPC）产品族中的基于模型校正工具，用于先进的光掩模制造。它通过剂量感知模型对系统的掩模光刻与过程误差源进行校正，确保掩模关键尺寸特征符合规格要求。
核心能力
基于模型的剂量与几何校正
采用剂量感知模型（包含曝光、抗蚀剂与过程模型分量），对掩模图形进行几何与剂量双重校正，从纳米级到厘米级范围校正电子散射和过程载荷效应引入的误差。
双模型迭代仿真框架
电子散射模型表征电子束曝光过程中前向散射邻近效应与背散射长程能量沉积，工艺模型模拟显影与刻蚀对掩模图形的影响，两者协同对图形边缘逐段迭代仿真。
边缘位置精度优化
通过多次迭代逐步收敛，每次迭代重新仿真修正后的图形并评估残余误差，据此调整边缘段位置，直至达成预设的边缘位置精度目标，应对先进节点二维图形邻近效应。
选择性剂量分配
支持对不同图形区域分配差异化曝光剂量，与边缘位移操作协同，在保证边缘精度的同时扩大工艺窗口，使掩模图形在更宽的曝光剂量与焦距范围内满足规格。
多束掩模写入机适配
方法论已针对矢量成形束（VSB）掩模写入机优化，并适配新近投入批量光掩模生产的多束掩模写入机（MBMW）架构，降低写入时间对版图复杂性的依赖。
MPC 产品族协同
与基于规则的 Calibre MPCpro 及掩模模型验证工具 Calibre MPCverify 协作，构成完整的掩模工艺校正流程，覆盖校正、验证与精度确认环节。
适用场景
掩模工艺校正（MPC）已被公认为 14 纳米及以上先进技术节点电子束掩模制造中掩模数据准备（MDP）的必要步骤。该工具适用于先进光掩模制造中的电子束掩模校正，用于提升掩模关键尺寸精度与工艺稳定性。
使用说明
Calibre nmMPC 为商业软件，随西门子 Calibre 制造解决方案授权使用，通常由掩模厂（mask shop）与先进节点光刻团队在掩模数据准备与工艺开发流程中部署。
