专用于编辑MEMS版图的设计工具。
◆ 多层版图编辑功能;
◆ 可对版图进行布尔运算;
◆ 形状和拓扑学的结合;
◆ 自动生成器件结构版图;
◆ 能读取BMP,JPG,PNG等图片格式的文件;
◆ 能通过已有层按照一定的规则自动产生一系列新的单元至指定层;
◆ 对顶点数过多的多边形进行自动简化与切割;
◆ 能够绘制椭圆、弧形、不规则曲边和正弦曲线等复杂版图;
◆ 参数脚本编辑功能：改变器件参数，可以快捷、方便地修改器件结构,大大缩短设计时间;
◆ 修改或创建新的参数脚本;
◆ 使用基于单元的VBS脚本创建复杂版图;
◆ 完整的GDSII文件转化功能;
◆ 兼容业界主流文件格式GDSII,MSK,DXF;
◆ 支持DESIGN RULE CHECK;
◆ 支持对版图进行各种布尔操作，可以很方便地创建复杂的结构;
◆ 完全支持CELL层状结构;
◆ 三维结构的工艺过程预览;
◆ 提供 Measurement and dimensioning tools，可以很方便地对版图进行标注。
互动式编辑器件三维模型的强大工具。
◆ 直角坐标和极坐标格点辅助创建器件的优化模型;
◆ 对齐网格或对齐点(包括中点、交点和分割点等);
◆ 输入版图(GDS，DXF或VEC格式)优化模型;
◆ 对指定部分进行网格细分，如蛛网式、拉链式和发散式等;
◆ 兼容ANSYS、ABAQUS、PATRAN、I-DEAS格式;
◆ 能求解大规模矩阵;
◆ 方便地修改结构厚度和间隙;
◆ 自动验证网格质量与正确性;
◆ 由二维版图直接生成模型并划分成六面体网格;
◆ 自动校正不连通的网格(网格数量较少的情况下);
◆ 建立斜面网格。
可进行静态、动态、瞬态和频域等不同类型下热、静电、机械、热-机-电耦合、流-固耦合分析。
◆ 有限元、边界元求解器;
◆ 兼容ANSYS,PATRAN,IDEAS;
◆ 使用IntelliFab模块生成有限元模型或者用3DBuilder生成元件三维模型;
◆ 定义应力梯度，在回旋装置中加入科里奥利力;
◆ 计入热导率、电阻率、热膨胀系数、密度与温度的关系;
◆ 接触分析、压电、压阻和封装分析;
◆ 精确的机电耦合动态分析，实现基于真实三维器件结构的动态机电耦合模拟;
◆ 压电瞬态、动态模拟包含瞬态电压差分输入、瞬态电荷密度输入及Squeeze Film的影响;
◆ 本征频率分析;
◆ 电容矩阵计算;
◆ 完整有限元模型能通过一种降阶方法得到一个简化模型，该模型能用于系统级分析。此降阶方法基于Arnoldi降阶方法，拉格朗日力学和模式叠加得到;
◆ 宏模型特性提取，自动生成N自由度的系统模型.完整记录非线性动态行为,包括谐波和子谐波响应;
◆ 提供32、64位求解器，支持SMP多核并行计算;
◆ 温差电动势Seebeck效应的静力计算;
◆ 磁致伸缩效应的静力、频率、动力分析计算。
TEM是一种用于静电、机械和热等分析的器件级多物理场耦合工具。它现在也可以模拟磁致伸缩材料。可用于电磁和微流控模拟等等。
可定制的参数化分析工具，从版图生成、三维模型网格建立、边界和负载设置，直至分析和后处理，生成分析报告。
◆ 无人值守的参数化分析;
◆ 尺寸参数化;
◆ 负载参数化;
◆ 标准单元版图库;
◆ 可自定制单元和版图;
◆ 一键式三维网格建立;
◆ 自动边界和负载添加;
◆ 最终的结果报告，可提取任一指定参数下的结果;
◆ 可生成不同参数情况下结果的比较图表;
三维全波电磁场分析模块。
◆ MEMS 精确全波分析;
◆ 真实形变结构分析;
◆ 采用国际流行的有限元分析求解器;
◆ 精确的边界条件设置;
◆ 自动空气填充;
◆ 功能强大的自适应四面体划分;
◆ 丰富的电磁材料库;
◆ 多种矩阵方程求解器可供选择，包括 CG 和 GMRES;
◆ 支持多核并行计算;
◆ S 参数的提取;
◆ 阻抗矩阵的提取;
◆ 电场、磁场的三维显示;
◆ Smith 圆图;
◆ 支持其他相关工业格式 (比如 ACIS 文本格式);
◆ 数据格式与 IntelliSuite 其他模块兼容;
分析微流体，BioMEMS 领域微观现象的模块。
◆ 微通道流动;
◆ 电驱动流(电渗、电泳);
◆ 介电泳(双向电泳);
◆ 电场中离子驱动流;
◆ 电润湿(电力场液滴表面张力驱动模拟)、自由表面流动;
◆ 定义滑动边界条件，可模拟塞状流;
◆ 电场作用下酸、碱以及弱电解质的混合、分离流动;
◆ 对流换热效应;
◆ 使用分块贴体坐标，能精确描述复杂几何模型，解决移动边界问题;
精准的三维工艺物理模拟工具。
◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程;
◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等;
◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选;
◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰富的实践验证;
◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺.
◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺
◆ 基于GPU大规模并行计算
◆ 采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能
◆ 支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息;
◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。
FabSim™ – 快速工艺流程模拟
FabSimTM 使用户能够快速建立真实的物理模型，而不是使用传统方法创建的几何模型。
通过在IntelliSuite中系统地构建原型，您甚至可以在进入工厂之前快速识别流程缺陷，从而最终节省时间和金钱。工艺步骤与版图几何结构相结合，可用于构建最终的虚拟模型。
基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。
◆ 动画形式显示工艺过程;
◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型;
◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等;
◆ 采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构;
◆ 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息;
◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程;
先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。
◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;
◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻;
◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;
◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;
◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率;
◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;
◆ 三维图形和横截面可视;
◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度;
◆ 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟;
◆ 集成 DRIE 和多次掩膜复合工艺功能;
◆ 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型;
◆ 完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口;
◆ 可定义和切割任意高指数晶面;
◆ 精确描述腐蚀表面形貌;
◆ 兼容 IntelliMask 版图文件和 Bmp 掩膜文件;
◆ 输出 FEM 网格数据;
◆ 基于 GPU 大规模并行计算的 IntelliEtchG;
◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蚀速率提取工具;
◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蚀速率可视化及校准工具;
◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蚀速率提取工具;
结合材料、版图创建器件的工艺流程，并可输出到FabSim模块生成三维虚拟模型，输出到TEM模块进行分析。
◆ 完整的MEMS工艺流程，包括沉积、光刻、刻蚀、键合、电镀等工艺。用户可添加自有工艺;
◆ 支持标准MEMS工艺，如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosch Surface Micromachining等。
◆ 用户可创建自有工艺;
◆ 图形化的硅和石英等材料的各向异性湿法刻蚀速率展示与调节工具
◆ 支持SOI材料，支持电阻率与方块电阻参数同步;
◆ 支持输出Excel格式工艺流程单
◆ 结合FabSim模拟工艺流程生成的器件的三维模型;
◆ 结合TEM分析对器件的影响，实现更精确的多物理场模拟;
IntelliFAB™ – 流程编辑器
IntelliSuite自下而上的设计是以流程设计为基础。熟悉的工艺步骤，如光刻、薄膜沉积和选择性蚀刻，构成了最终器件几何形状的基础。
使用IntelliFABTM可以使用户在进入CleanRoom之前进行流程调试和版图优化。它使您能够快速创建精确的虚拟模型，并且可以防止流程错误带来的损失。
当前全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具，提供工艺参数和器件特性间的重要联系。
◆ 包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的 MEMS 常用薄膜材料属性，使模拟结果更加精确;
◆ 允许用户添加和自定义材料;
◆ 通过 IntelliFab 模块直接将材料属性输出到 TEM 分析模块;
◆ 优化工艺;
模拟 RIE/ICP(Bosch Process) 工艺，清晰反映加工工艺如何影响产品成型。
◆ 可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期;
◆ RIE 和 DRIE 的 lag 效应;
◆ 模拟最终实体形貌、侧面角度;
◆ 考虑掩膜影响;
◆ 为特定截面创建工艺参数可调整的结构;
◆ 支持 Footing 效应模拟;
◆ 支持工艺参数计算;
◆ DRIE 刻蚀速率及深宽比校准工具;
该工具用于将从TEM模块中提取的降阶宏模型转换为verilogA、VHDL-AMS等硬件描述语言，以便在其它EDA工具中使用。实现MEMS与IC的兼容设计。
创新的 SME(系统模型提取)能够系统地分析 MEMS 器件动力学特性，提取器件特征 参数，能够将一个大型的 FEA 模型转化成一个精确的 N 自由度能量模型，导入到 SYNPLE 模块中进行模拟，最终获得与全 FEA 分析一致的结果，而计算速度提高 1000 倍;
降阶宏模型提取
IntelliSuite 使用先进的模型简化方法，从有限元模型自动创建降阶宏模型。NDOF(N自由度)系统模型包含了多物理耦合，包括应力、静电、封装效应、流体和其他阻尼源。这些精确的降阶宏模型可以导出为支持VHDL、Verilog-A、SPICE等格式的文件，从而在Cadence、MATLAB等工具中进行MEMS-ASIC的全过程协同仿真。
SYNPLE—系统级分析与仿真
可以基于原理图进行电路分析。 可以快速地优化设计。SYNPLE可以实现降阶宏模型仿真，可直接将原理图转换成器件版图，从而进行3D建模，网格划分以及多物理场仿真分析。
SYNPLE 包括尖端的原理图生成和仿真工具，通过降阶宏模型的方式使设计更加便捷。SYNPLE提供了一个包含电、机械、热等多物理场的分析环境，以及MEMS单元库。可以通过拖拽操作进行多个MEMS单元的组合，并使用连线生成MEMS系统原理图。因此，用户可以在进行详细分析和验证之前快速地检查设计缺陷或者问题。
