Calibre nmOPC

计算光刻中的光学邻近效应修正 随着集成电路制造工艺向纳米级持续推进，光刻技术的分辨率极限成为制约芯片良率的关键瓶颈。在低 k1 因子光刻条件下，掩模图形经过投影光学系统后会产生明显畸变，导致硅片上的实际成像偏离原始设计意图。光学邻近效应修正...