高精度IBIS建模：SimDE MODEL

[ 软件教程 ] 贝思科尔 2017-05-10 14:32

SimDE^TMMODEL

信号完整性模型生成和验证环境

自动化IBIS模型生成，适用于

– 所有的IBIS缓冲器类型

– 使用传统IBIS的标准对差分缓冲器建模

– IBIS 5.0 PDN模型

通过嵌入式拟合功能实现自动SPICE宏模型生成

– 预加重

– SSO/SSN驱动器和接收器

SIMDE^TMMODEL概述

仿真对高速系统设计越来越重要。它可以帮助您优化设计性能，缩短设计周期，降低样机成本并加快产品上市速度。高级芯片和系统模拟均从电气I/O建模开始，这有助于更快、更准确地进行模拟。

SIMDE™建模提供了一个图形模型开发和验证环境，并为模型开发和验证提供了直接方法。它主要侧重于自动SI模型提取、生成和验证过程。

创建高性能的精确模型。

IBIS模型生成和验证

SimDE^TMMODEL提供了自动化IBIS缓冲模型提取、生成和验证过程，并包含一个图形界面，用于映射SPICE缓冲节点以及将图示编辑模式用于其它节点设置。它能自动运行SynopsysHSpice，从Spice缓冲中提取缓冲行为，此过程中无需手动编辑。

SimDE^TMMODEL提供了一个用于IBIS缓冲模型生成的无缝验证过程。它能在生成IBIS缓冲的过程中记忆Spice模型的所有设置，并将其用于您自己的拓扑结构中的IBIS模型验证。它还提供了一个详细的DPI（差分峰值指数）DAI（差分平均指数），并报告Spice与IBIS缓冲模拟之间的任何差异。波形清楚地描绘了结果的质量。

SimDE^TMMODEL特征如下：

自动Spice缓冲节点映射功能
图形节点设置功能
自动Spice到IBIS缓冲提取过程
驱动和接收模式下的自动模型电容提取选项
通过手动共模电压设置选项完成所有IBIS输入/输出/IO模型类型和差动缓冲（伪缓冲、半缓冲和标准差分对缓冲）提取
简易的典型/最小/更大角点提取设置
支持IBIS 5.0 PDN[复合电流]和[ISSO_*]提取
支持HSpice、Spectre、Eldo、MSIM 和TISpice3集成^*
^{使用IBIS和IBIS差分模型的已有数据完成提取}
内置IBIS标准缓冲测试装置
IBIS缓冲模型验证表支持自由设置拓扑结构
详细验证报告包含差分峰值指标（DPI）和差分平均指数（DAI）
IBIS缓冲曲线目视检查和报告，验证片内终接器、非单调和负荷线交叉验证（SimDE™MODEL IBIS应用模块）
IBIS文件生成向导带[模型选择器]生成器
仅提取模拟能力适用于GUI和批处理模式操作中的模拟器队列脚本应用程序
支持标准差动电流模式下的IBIS缓冲提取
对一个项目中的多个IBIS缓冲生成进行批处理模式操作
IBISVT/IT曲线初始延迟调整功能
IBISVT/IT曲线总长度控制
IBISVT/IT更大点数目控制
为IBIS VT/IT曲线提取提供激励升降边缘控制
差分对缓冲具有自动设置VT测试装置
使用选项设置文件创建批处理模式模型
支持IBIS系列_转换模型提取和验证
支持S2I项目模型导入
C_comp重新排序功能
大范围IV/VT不匹配停止/继续警告

Spice宏模型生成、拟合和验证

SimDE^TMMODEL提供了一个综合流，用于Spice宏模型生成、拟合和验证。它允许用户从零开始或从基本元件开始，使用我们集成的标准库元件或您自己设计的黑盒元件。它的层次结构将从不同层次为用户提供一个清楚的图形结构视图。

拟合过程允许用户加载标准波形用于宏模型优化过程。它可以扫描多个参数并找出更符合标准源的更佳设置。

验证过程提供了一个简单易用的环境，用于验证您刚才为特定负荷验证构建的宏模型。您也可导入第三方模型进行验证。

产品配置（适用于Windows和Linux操作系统平台）

功能/层级		传统级	进阶级	专家级
IBIS生成	IBIS单端	X	X	X
	IBIS差分对	X	X	X
	IBIS PDN		X	X
IBIS验证	IBIS单端	X	X	X
	IBIS差分对	X	X	X
	IBIS PDN		X	X
Spice宏模型	原理图生成器			X
	拟合			X
	验证			X
实用工具	2D波形	X	X	X
	3D波形		X	X
	IBIS验证	X	X	X
	IBIS批量生成			X

产品支持/维护

公司提供年度付费技术支持服务，包括技术问答、漏洞修复服务包和产品增强更新。对于有关产品维护的技术培训，客户需支付额外费用。

* Spectre、TiSpice3集成仅适用于Linux操作系统。

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