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CalibreWORKbench是一个易于使用的环境，用于创建准确的流程模型和经过测试的、生产就绪的工具设置文件。经批准的模型和设置文件可移交给生产用户，以推动交钥匙IC布局RET处理。CalibreWORKbench软件为硅测量创建测试模式，并运行测试作业来测试和可视化模型和设置文件的输出。CalibreWORKbench包含一个快速、高容量的布局查看器，用于GDSII和fracture格式，具有易于使用的交互式光刻模拟和可视化功能

CalibreOPCverify是CalibrenmOPC的配套OPC验证工具，是锚定下一代分辨率增强技术和制造解决方案设计的基石技术。当前的低k1光刻工艺增加了纳米设计中分辨率增强技术（RET）应用的复杂性。由于掩模规则约束、碎片、建模和计量误差等原因，这导致了更高的硅故障率。为了减少错误，在将设计发送给掩模或晶圆制造商之前，需要一个OPC后验证步骤来检测故障。

CalibreMASKOPT是是一个自由开源的电子书软件套装的一部分，CalibreMASKOPT通过对断裂数据进行高级预处理来降低总放炮次数，从而降低掩模成本和掩模写入时间。CalibreMASKOPT可以在45nm及以下的先进技术节点的数据集上实现高达20%的放炮次数减少。

CalibreOPCpro提供复杂IC布局的全芯片光学和工艺校正，以提高产量和工艺自由度。CalibreOPCpro使用面向批量的流程，对布局进行更改，以补偿深亚微米制造过程中固有的光刻变形

散射条（SBs）是放置在刻线图案边缘附近的亚分辨率、相位或铬条状特征。抗散射条（ASB）只是SBs的倒数，并嵌入到图案中。SBs和ASB改变孤立线和半孤立线航空图像的斜率，以便更好地匹配密集嵌套线的航空图像。SBs有助于在整个音高上保持足够的聚焦深度，以帮助减少像差效应和CD色散

CalibrenmMPC是一种用于芯片设计和验证的工具，提供了专门为电子束掩模书写器开发的优化。这个工具被广泛应用于半导体行业，用于进行芯片级别的物理验证、版图设计和芯片制造。它提供了先进的芯片级别的版图设计和验证功能，有助于工程师们确保他们的芯片设计符合规范并且能够成功制造。CalibrenmMPC在半导体行业中扮演着重要的角色，帮助工程师们确保他们的芯片设计达到高质量、高性能和可靠性的要求。

CalibreMPCpro是一种针对电子束光刻和掩模蚀刻工艺引入的系统误差的解决方案，基于CalibreOPCpro技术进行光学工艺校正。CalibreMPCpro可纠正雾化、显影和蚀刻加载等工艺效应，以及ebeam邻近效应。掩膜工艺校正系列是基于规则和模型的产品，用于先进的光掩膜制造，校正系统性掩膜光刻和工艺误差源，确保掩膜关键尺寸特征符合规范。

CalibreMDPverify是MentorGraphics提供的CalibreMDP工具套件的一部分，CalibreMDPverify根据原始GDSII定义检查最终掩码写入器数据，以防止使用错误数据写入掩码。它。它通过独立于断裂步骤确认最终掩模数据中是否存在所需的更改来支持设计更新的跟踪。根据原始GDSII或OASIS定义检查最终掩码写入程序数据。它支持通过确认最终掩模数据中是否存在更改来跟踪设计更新。

CalibrenmOPC是第三代光学邻近校正（OPC）工具，它扩展了分辨率增强技术（RET）产品的口径库，用于亚65纳米（nm）工艺技术。CalibrenmOPC工具和配套的OPC验证工具CalibreOPCverify以业界最高的性能和最低的拥有成本提供了卓越的模拟精度，开创了计算光刻技术的新时代

CalibreComputationalLithography对集成电路（IC）永不满足的需求继续推动更小的关键尺寸。光刻工艺，包括极紫外（EUV），呈现出越来越复杂和数据量。我们的计算光刻解决方案可实现经济高效的技术支持。与先进工艺节点相关的光刻挑战和计算复杂性都要求在计算光刻软件和硬件方面具有高级功能。Calibre解决方案提供一流的精度、速度和拥有成本。