软件介绍

软件简介:

GloryEX为芯片设计提供Signoff精度的高性能RC寄生参数提取解决方案。支持先进工艺节点的物理效应建模,支持16/14/12/10/7nm及更先进工艺制程的FinFET结构及更为复杂的特殊结构。完美地集成到全芯片时序、信号完整性、功耗完整性、物理验证、电路仿真等流程中,对3D和2.5D工艺定义和提取进行了无缝融合,从而加快设计收敛及签核验证。 GloryEX内置的3D场求解器可作为最高精度的参考工具或提供给用户最准确的计算结果;具有自主先进的Tech File,并兼容现有常用Tech File;将Transistor-Level和Gate-Level提取融为一体,支持不同精的选择和不同设计用户的签核需求。

详细介绍:

优势
  • 支持SoC、ASIC、Memory、Custom、AMS等设计

  • 最高精度模式的3D提取、快速高精度的2.5D提取

  • 支持先进工艺下BEOL、MEOL和FEOL的高精度提取

  • 支持对复杂几何图形和工艺效应的工艺建模,支持14/7nm及更先进工艺器件结构和寄生参数建模开发

  • 可供晶圆代工厂基于各种特殊结构进行高精度的3D FinFET建模

  • 三维立体器件结构显示界面,供开发人员查看建模的精确工艺数据以及立体结构,精确表征导体和电介质参数

  • 多核并行处理、分区域划分、层次化提取等技术,支持大型设计全芯片规模参数快速提取

  • 支持大规模、高性能的Transistor-Level和Gate-Level提取

  • 支持关键路径3D高精度电容求解和IP库高精度特征化,支持网表压缩,缩短后仿真时间

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