产品定位
Proteus 全芯片掩模合成智能制造方案支持 2 纳米及以下工艺，被领先的 IDM 与晶圆厂选用，并已生产验证二十年，支持最新 EUV 光刻工艺。
核心能力
该方案在邻近效应校正、校正用模型建立以及对校正与未校正版图图形的邻近效应分析方面提供卓越精度、效率与速度，结合基于物理的掩模合成与先进 3D 光刻胶与掩模模型。
主要功能与模块
- Proteus OPC：基于模型的邻近效应校正，支持曲线掩模特征，提供最准确 OPC 结果与最快周转。
- Proteus ILT：反相光刻技术（ILT），业界首款且最广泛量产部署的反相光刻方案，提供最大工艺窗口与更高良率。
- Proteus LRC：全芯片热点检测与掩模验证，覆盖热点、双层间距、套刻、拼接、工艺变异、EPE 与 CD 控制检查。
- Proteus RBAF2D：基于规则的辅助图形放置，提升焦深。
- Proteus GLE 与 MLO：全局层增强与掩模层操作，简化 GDS 到掩模流程。
- Proteus DMW：校正后数分钟内完成图形拆分（fracture），并行处理并与掩模写入机直接交接。
- Proteus SMO：源掩模协同优化，结合 ILT 或 OPC 引擎交付量产就绪方案。
- Proteus WorkBench：基于层次化 GDSII/OASIS 引擎的掩模合成开发环境。
与制造流程集成
Proteus 与掩模数据处理（MDP）、光刻仿真及晶圆厂工艺集成，支持 High NA EUV 等先进光刻，提供从设计到掩模的快速路径。
适用环节与场景
面向先进工艺节点的计算光刻与掩模合成环节，适用于浸没式、EUV 与 High NA EUV 等最新光刻技术，服务 IDM 与晶圆厂的量产芯片制造。
价值
以最大光刻收益、快速周转与高预测性模型，延缓昂贵新硬件与多重 patterning 的需求，提升良率并加快产品上市。
