对于工程设计人员来讲,IGBT芯片的性能,可以从规格书中很直观地得到。但是,系统设计时,这些性能能够发挥出来多少,就要看“封装“了,毕竟夏天穿着棉袄工作任谁也扛不住,因此,对于怕热的IGBT芯片来讲,就是要穿得“凉快”
IGBT制造流程
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晶圆生产:包含硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型三个步骤,目前国际主流是8英寸晶圆,部分晶圆厂12英寸产线逐步投产,晶圆尺寸越大,良品率越高,最终生产的单个器件成本越低,市场竞争力越大 -
芯片设计:IGBT制造的前期关键流程,目前主流的商业化产品基于Trench-FS设计,不同厂家设计的IGBT芯片特点不同,表现在性能上有一定差异 -
芯片制造:芯片制造高度依赖产线设备和工艺,全球能制造出顶尖光刻机的厂商不足五家;要把先进的芯片设计在工艺上实现有非常大的难度,尤其是薄片工艺和背面工艺,目前这方面国内还有一些差距 -
器件封装:器件生产的后道工序,需要完整的封装产线,核心设备依赖进口
IGBT芯片
IGBT封装
1
DBC(Direct Bonding Copper)
2
电流路径
3
散热路径
老化失效
1
键合线失效
2
焊接层疲劳
总结
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